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Endura® Volta™ Selective W CVD

鎢因其低電阻率及大量填充特性而被廣泛作為中段製程 (MOL) 接點的間隙充填材料。MOL 接點在電晶體導線之間形成了關鍵的電性連接。因此,確保低電阻接點對於整個元件性能非常重要。

然而,隨著尺寸的不斷縮小,接點尺寸已小到讓接點電阻成為最佳元件性能的瓶頸。隨著接點橫截面的面積縮小,越來越多的體積被金屬襯墊層/阻擋層與成核層2020欧洲杯直播投注佔據,留下較少的體積填充導電金屬。此外,溝槽的多個電阻性介面提高了接點電阻。

Applied Endura Volta Selective W CVD 系統提供了整合材料解決方案,以 2D 微縮的突破來減輕這些不利影響。該系統結合了表面處理室與選擇性鎢沉積室。選擇性沉積可以透過沉積室的獨特處理能力及各種表面處理來實現,這些表面處理利用具有針對性的化學方法來準備底層金屬和接點電介質,以實現由下而上的金屬對金屬沉積。選擇性製程去除了襯墊層/阻擋層與成核層,緩解了元件性能的瓶頸,帶來無孔洞和無接縫的間隙充填。

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在傳統的接點間隙充填過程中,
導電金屬體積受到襯墊層/阻擋層與成核層的限制。
選擇性鎢的導電體積
讓接點的整個體積可用於導電金屬。
選擇性沉積法的整合材料解決方案結合了
表面針對性預處理與獨特的鎢沉積製程。